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PCB干制程? 呵呵,我做了很多年,下面就詳細介紹一下:
4.1 制程目的
三層板以上產品即稱多層板,傳統之雙面板為配合零件之密集裝配,在有限的板面上無法安置這幺多的零組件以及其所衍生出來的大量線路,因而有多層板之發展。加上美國聯邦通訊委員會(FCC)宣布自1984年10月以后,所有上市的電器產品若有涉及電傳通訊者,或有參與網絡聯機者,皆必須要做"接地"以消除干擾的影響。但因板面面積不夠,因此pcb lay-out就將"接地"與"電壓"二功能之大銅面移入內層,造成四層板的瞬間大量興起,也延伸了阻抗控制的要求。而原有四層板則多升級為六層板,當然高層次多層板也因高密度裝配而日見增多.本章將探討多層板之內層制作及注意事宜.
4.2 制作流程
依產品的不同現有三種流程
A. Print and Etch
發料→對位孔→銅面處理→影像轉移→蝕刻→剝膜
B. Post-etch Punch
發料→銅面處理→影像轉移→蝕刻→剝膜→工具孔
C. Drill and Panel-plate
發料→鉆孔→通孔→電鍍→影像轉移→蝕刻→剝膜
上述三種制程中,第三種是有埋孔(buried hole)設計時的流程,將在20章介紹.本章則探討第二種( Post-etch Punch)制程-高層次板子較普遍使用的流程.
4.2.0發料
發料就是依制前設計所規劃的工作尺寸,依BOM來裁切基材,是一很單純的步驟,但以下幾點須注意:
A. 裁切方式-會影響下料尺寸
B. 磨邊與圓角的考量-影響影像轉移良率制程
C. 方向要一致-即經向對經向,緯向對緯向
D. 下制程前的烘烤-尺寸安定性考量
4.2.1 銅面處理
在印刷電路板制程中,不管那一個step,銅面的清潔與粗化的效果,關系著下 一制程的成敗,所以看似簡單,其實里面的學問頗大。
A. 須要銅面處理的制程有以下幾個
a. 干膜壓膜
b. 內層氧化處理前
c. 鉆孔后
d. 化學銅前
e. 鍍銅前
f. 綠漆前
g. 噴錫(或其它焊墊處理流程)前
h. 金手指鍍鎳前
本節針對a. c. f. g. 等制程來探討最好的處理方式(其余皆屬制程自動化中的一部 份,不必獨立出來)
B. 處理方法 現行銅面處理方式可分三種:
a. 刷磨法(Brush)
b. 噴砂法(Pumice)
c. 化學法(Microetch)
以下即做此三法的介紹
C. 刷磨法
刷磨動作之機構,見圖4.1所示.
表4.1是銅面刷磨法的比較表
注意事項
a. 刷輪有效長度都需均勻使用到, 否則易造成刷輪表面高低不均
b. 須做刷痕實驗,以確定刷深及均勻性
優點
a. 成本低
b. 制程簡單,彈性
缺點
a. 薄板細線路板不易進行
b. 基材拉長,不適內層薄板
c. 刷痕深時易造成D/F附著不易而滲鍍
d. 有殘膠之潛在可能
D.噴砂法
以不同材質的細石(俗稱pumice)為研磨材料
優點:
a. 表面粗糙均勻程度較刷磨方式好
b. 尺寸安定性較好
c. 可用于薄板及細線
缺點:
a. Pumice容易沾留板面
b. 機器維護不易
E. 化學法(微蝕法)
化學法有幾種選擇,見表 .
F.結綸
使用何種銅面處理方式,各廠應以產品的層次及制程能力來評估之,并無定論,但可預知的是化學處理法會更普遍,因細線薄板的比例愈來愈高。
4.2.2 影像轉移
4.2.2.1印刷法
A. 前言
電路板自其起源到目前之高密度設計,一直都與絲網印刷(Silk Screen Printing)-或網版印刷有直接密切之關系,故稱之為"印刷電路板"。目前除了最大量的應用在電路板之外,其它電子工業尚有厚膜(Thick Film)的混成電路(Hybrid Circuit)、芯片電阻(Chip Resist )、及表面粘裝(Surface Mounting)之錫膏印刷等也都優有應用。
由于近年電路板高密度,高精度的要求,印刷方法已無法達到規格需求,因此其應用范圍漸縮,而干膜法已取代了大部分影像轉移制作方式.下列是目前尚可以印刷法cover的制程:
a. 單面板之線路,防焊 ( 大量產多使用自動印刷,以下同)
b.單面板之碳墨或銀膠 c.雙面板之線路,防焊
d.濕膜印刷
e.內層大銅面
f.文字
g.可剝膠(Peelable ink)
除此之外,印刷技術員培養困難,工資高.而干膜法成本逐漸降低因此也使兩者消長明顯.
干制程圖像轉移的制作方式:
現在基本上只保留兩種了,就是以干膜成像轉移和濕膜成像轉移為主要方式。而濕膜成像轉移因其成本只有干膜成像轉移的四分之一,所以濕膜成像轉移有逐漸代替干膜成像轉移的趨勢。
4.2.2.1干膜法
更詳細制程解說請參讀外層制作.本節就幾個內層制作上應注意事項加以分析.
A. 一般壓膜機(Laminator)對于0.1mm厚以上的薄板還不成問題,只是膜皺要多 注意!
B. 曝光時注意真空度
C. 曝光機臺的平坦度
D. 顯影時Break point 維持50~70% ,溫度30+_2,須 auto dosing.
4.2.2.2濕膜法
a、前處理用機械或微蝕刻藥水處理板面
b、使用水平或垂直涂布線在板面均勻涂覆一層感光油墨(墨厚8-12um),送入自動烤箱進行烘烤,涂布后板面硬度需達2H以上。目前用得較多的涂布線垂直的有群翊、科嶠,水平線有液控、港建。
c、曝光能量6-8格
d、顯影30-50%,30±2℃
所有干制程的目的就是將底片上的圖形轉移到基板上,得到需要的線路圖形。
4.2.3 蝕刻
現業界用于蝕刻的化學藥液種類,常見者有兩種,一是酸性氯化銅(CaCl2)、 蝕刻液,一種是堿性氨水蝕刻液。
A.兩種化學藥液的比較,見表氨水蝕刻液& 氯化銅蝕刻液比較
兩種藥液的選擇,視影像轉移制程中,Resist是抗電鍍之用或抗蝕刻之用。在內層制程中D/F或油墨是作為抗蝕刻之用,因此大部份選擇酸性蝕刻。外層制程中,若為傳統負片流程,D/F僅是抗電鍍,在蝕刻前會被剝除。其抗蝕刻層是钖鉛合金或純钖,故一定要用堿性蝕刻液,以免傷及抗蝕刻金屬層。
B.操作條件 見表為兩種蝕刻液的操作條件
C. 設備及藥液控制
兩種 Etchant 對大部份的金屬都是具腐蝕性,所以蝕刻槽通常都用塑料,如 PVC (Poly Vinyl chloride)或PP (Poly Propylene)。唯一可使用之金屬是 鈦 (Ti)。為了得到很好的蝕刻品質-最筆直的線路側壁,(衡量標準為蝕刻因子 etching factor其定義見圖4.3),不同的理論有不同的觀點,且可能相沖突。 但有一點卻是不變的基本觀念,那就是以最快速度的讓欲蝕刻銅表面接觸愈多 新鮮的蝕刻液。因為作用之蝕刻液Cu+濃度增高降低了蝕刻速度,須迅速補充 新液以維持速度。在做良好的設備設計規劃之前,就必須先了解及分析蝕銅過 程的化學反應。本章為內層制作所以探討酸性蝕刻,堿性蝕刻則于第十章再介 紹.
a. CuCl2酸性蝕刻反應過程之分析
銅可以三種氧化狀態存在,原子形成Cu°, 藍色離子的Cu++以及較不常見 的亞銅離子Cu+。金屬銅可在銅溶液中被氧化而溶解,見下面反應式(1)
Cu°+Cu++→2 Cu+ ————- (1)
在酸性蝕刻的再生系統,就是將Cu+氧化成Cu++,因此使蝕刻液能將更多的 金屬銅咬蝕掉。
以下是更詳細的反應機構的說明。
b. 反應機構
直覺的聯想,在氯化銅酸性蝕刻液中,Cu++ 及Cu+應是以CuCl2 及CuCl存 在才對,但事實非完全正確,兩者事實上是以和HCl形成的一龐大錯化物存 在的:
Cu° + H2CuCl4 + 2HCl → 2H2CuCl3 ————- (2)
金屬銅 銅離子 亞銅離子
其中H2CuCl4 實際是 CuCl2 + 2HCl
2H2CuCl3 實際是 CuCl + 2HCl
在反應式(2)中可知HCl是消耗品。即使(2)式已有些復雜,但它仍是以下兩 個反應式的簡式而已。
Cu°+ H2CuCl4 → 2H2CuCl3 + CuCl (不溶) ———- (3)
CuCl + 2HCl → 2H2CuCl3 (可溶) ———- (4)
式中因產生CuCl沉淀,會阻止蝕刻反應繼續發生,但因HCl的存在溶解 CuCl,維持了蝕刻的進行。由此可看出HCl是氯化銅蝕刻中的消耗品,而且 是蝕刻速度控制的重要化學品。
雖然增加HCl的濃度往往可加快蝕刻速度,但亦可能發生下述的缺點。
1. 側蝕 (undercut ) 增大,或者etching factor降低。
2. 若補充藥液是使用氯化鈉,則有可能產生氯氣,對人體有害。
3. 有可能因此補充過多的氧化劑 (H2O2),而攻擊鈦金屬H2O2 。
c.自動監控添加系統. 目前使用CuCl2酸性蝕銅水平設備者,大半都裝置Auto dosing設備,以維持 蝕銅速率,控制因子有五:
1. 比重
2. HCl
3. H2O2
4. 溫度
5. 蝕刻速度
4.2.4 剝膜
剝膜在pcb制程中,有兩個step會使用,一是內層線路蝕刻后之D/F剝除,二 是外層線路蝕刻前D/F剝除(若外層制作為負片制程)D/F的剝除是一單純簡易 的制程,一般皆使用聯機水平設備,其使用之化學藥液多為NaOH或KOH濃 度在1~3%重量比。注意事項如下:
A. 硬化后之干膜在此溶液下部份溶解,部份剝成片狀,為維持藥液的效果及后水洗能徹底,過濾系統的效能非常重要.
B. 有些設備設計了輕刷或超音波攪拌來確保剝膜的徹底,尤其是在外層蝕刻后 的剝膜, 線路邊被二次銅微微卡住的干膜必須被徹底剝下,以免影響線路 品質。所以也有在溶液中加入BCS幫助溶解,但有違環保,且對人體有 害。
C. 有文獻指K(鉀)會攻擊錫,因此外層線路蝕刻前之剝膜液之選擇須謹慎評 估。剝膜液為堿性,因此水洗的徹底與否,非常重要,內層之剝膜后有加 酸洗中和,也有防銅面氧化而做氧化處理者。
4.2.5對位系統
4.2.5.1傳統方式
A. 四層板內層以三明治方式,將2.3層底片事先對準,粘貼于一壓條上(和內層同厚), 緊貼于曝光臺面上,己壓膜內層則放進二底片間, 靠邊即可進行曝光。見圖4.4
B. 內層先鉆(6層以上)粗對位工具孔(含對位孔及方向孔,板內監測孔等), 再以雙面曝光方式進行內層線路之制作。兩者的對位度好壞,影響成品良率極大,也是M/L對關鍵。
4.2.5.2蝕后沖孔(post Etch Punch)方式
A. Pin Lam理論
此方法的原理極為簡單,內層預先沖出4個Slot孔,見圖4.5 ,包括底片, prepreq都沿用此沖孔系統,此4個SLOT孔,相對兩組,有一組不對稱, 可防止套反。每個SLOT孔當置放圓PIN后,因受溫壓會有變形時,仍能 自由的左右、上下伸展,但中心不變,故不會有應力產生。待冷卻,壓力釋 放后,又回復原尺寸,是一頗佳的對位系統。
B. Mass Lam System
沿用上一觀念Multiline發展出"蝕后沖孔"式的PPS系統,其作業重點如下:
1.透過CAM在工作底片長方向邊緣處做兩"光學靶點"(Optical Target)以及四 角落之pads見圖4.6
2.將上、下底片仔細對準固定后,如三明治做法,做曝光、顯影蝕刻, 剝膜等步驟。
3.蝕刻后已有兩光學靶點的內層板,放進Optiline PE機器上,讓CCD瞄準 該光學靶點,依各廠自行設定,沖出板邊4個Slot孔或其它圖形工具孔。 如圖4.7
4.若是圓形工具孔、即當做鉚釘孔,內層黑化后,即可以鉚釘將內層及膠片 鉚合成冊,再去進行無梢壓板。
4.2.5.2各層間的對準度
A. 同心圓的觀念
a. 利用輔助同心圓,可check內層上、下的對位度
b. 不同內層同心圓的偏位表示壓合時候的Shift滑動
B. 設計原則
a.見圖4.8 所示
b.同心圓之設計,其間距為4mil,亦是各層間可容許的對位偏差,若超出同心圓以外,則此片可能不良。
c.因壓合有Resin Cure過程故pattern必須有預先放大的設計才能符合最終產品尺寸需求。
4.3 內層檢測
AOI(簡單線路采目視) →電測→(修補)→確認 內層板線路成完后,必須保證通路及絕緣的完整性(integrity),即如同單面板一樣先要仔細檢查。因一旦完成壓合后,不幸仍有缺陷時,則已為時太晚,對于高層次板子而言更是必須先逐一保證其各層品質之良好,始能進行壓合, 由于高層板漸多,內層板的負擔加重,且線路愈來愈細,萬一有漏失將會造成壓合后的昂貴損失.傳統目視外,自動光學檢查(AOI)之使用在大廠中已非常普遍, 利用計算機將原圖案牢記,再配合特殊波長光線的掃瞄,而快速完美對各層板詳作檢查。但AOI有其極限,例如細斷路及漏電(Leakage)很難找出,故各廠漸增加短、斷路電性測試。
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其他答案1:
暴光是利用光成相的原理,就像照像機一樣